一个脑洞极大的玩具——真人不倒翁

这项工作表明，脑洞堆积方式对晶体材料的激发态和PL各向异性具有重要影响，表明多晶型纳米结构在多功能纳米光子器件中的巨大应用潜力。

首先，极大具根据SuperCon数据库中信息，对超过12,000种已知超导体和候选材料的超导转变温度（Tc）进行建模。3.1材料结构、玩倒翁相变及缺陷的分析2017年6月，玩倒翁Isayev[4]等人将AFLOW库和结构-性能描述符联系起来建立数据库，利用机器学习算法对成千上万种无机材料进行预测。

文章详细介绍了机器学习在指导化学合成、脑洞辅助多维材料表征、脑洞获取新材料设计方法等方面的重要作用，并表示新一代的计算机科学，会对材料科学产生变革性的作用。就是针对于某一特定问题，极大具建立合适的数据库，极大具将计算机和统计学等学科结合在一起，建立数学模型并不断的进行评估修正，最后获得能够准确预测的模型。玩倒翁图3-8压电响应磁滞回线的凸壳结构示例（红色）。

图3-7 单个像素处压电响应的磁滞回线：脑洞原始数据（蓝色圆圈），传统拟合曲线（红线）和降噪处理后的曲线（黑线）。随后，极大具2011年夏天，奥巴马政府宣布了材料基因组计划(MaterialsGenomeInitiative,简称MGI)，该计划在材料科学中掀起了一场革命。

此外，玩倒翁目前材料表征技术手段越来越多，对应的图形数据以及维度也越来越复杂，依靠人力的实验分析有时往往无法挖掘出材料性能之间的深层联系。

对错误的判断进行纠正，脑洞我们的大脑便记住这一特征，并将大脑的模型进行重建，这样就能更准确的有性别的区别。极大具同时以及锂的不均匀剥离和沉积导致的锂枝晶生长。

在各种固态电解质中，玩倒翁Li7La3Zr2O12(LLZO)具有优异的锂离子电导率（在室温下接近1mScm-1）对和锂金属的稳定性受到了最广泛的关注。该团队提出了一种在LLZO上涂覆MoS2，脑洞通过转换反应原位形成中间层的方法在降低Li/LLZO界面阻抗的同时显著抑制锂枝晶的生长。

【成果简介】近日，极大具中国科学院上海微系统与信息技术研究所刘啸嵩研究员课题组在国际著名期刊EnergyEnvironmentalScience上发表题为Insituformationofabifunctionalinterlayerenabledbyaconversionreactiontoinitiativelypreventlithiumdendritesinagarnetsolidelectrolyte 的文章。因此，玩倒翁MoS2涂覆的LLZO的临界电流密度在100℃时提高到2.2mAcm2，并且由于自发调节中间层厚度而产生的极化极大地提高了电池的安全性。